力華動態(tài)
行業(yè)資訊您現(xiàn)在的位置:網(wǎng)站首頁 > 行業(yè)資訊
全工作區(qū)和寬安全工作區(qū)等之分。按器件封裝分,有單管和模塊兩類。按器件參數(shù)分,包括了不同等級的電流電壓規(guī)格。
IGBT 是新型的半導(dǎo)體復(fù)合器件,其結(jié)構(gòu)原理是一種電導(dǎo)調(diào)制的 MOSFET,
或 MOS 驅(qū)動的雙極晶體管。因此,它集合了單極器件和多極器件優(yōu)點,特別適合在感應(yīng)加熱電源中應(yīng)用。從應(yīng)用特性上,IGBT 具有如下特點:
(1)全控型器件,電壓驅(qū)動,易于控制;
(2)輸出阻斷電壓高、載流密度大、通態(tài)壓降低,適合與較高的電壓和功率配合應(yīng)用;
(3)開關(guān)動態(tài)性能介于 MOS 與 GTR 之間,目前*高工作頻率為 100kHz 左右;
(4)可實現(xiàn)較寬的安全工作區(qū),無二次擊穿現(xiàn)象,但應(yīng)避免擎住效應(yīng)
(5) IGBT 的轉(zhuǎn)移特性,它描述的是集電極電流 Ic 與柵極電壓 UGE 之間的關(guān)系,與電力 MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性類似。開啟電壓UGE(th)是 IGBT 能實現(xiàn)電導(dǎo)調(diào)制而導(dǎo)通的*低柵射電壓。