管道感應加熱晶體的面缺陷一般是指具有二維尺寸的晶體缺陷，主要包括晶體外表面、晶粒邊界、孿晶界等。

　　管道感應加熱晶體外表面晶體外表面上的原子與晶體內部的原子所處的環(huán)境不同，內部原子周圍都被鄰近的原子對稱地包圍著，而表面原子只有一側被內部原子包圍著，另一側則暴露在其他介質中。因此，表面原子所受周圍原子的作用力不是均勻對稱的，這*使表面原子偏離自己的平衡位置，處于能量較高的畸變狀態(tài)。表面原子比內部原子多出的這部分能量叫做表面能。

　　管道感應加熱材料的表面是*顯而易見的面缺陷。在垂直于表面的方向上，平移對稱性被破壞了。由于材料通過表面與環(huán)境及其他材料發(fā)生相互作用，所以表面的存在對材料的物理化學性能有重要的影響。常見的氧化、腐蝕、磨損等自然現(xiàn)象都與表面狀態(tài)有關。對于材料表面，可以借助離子束、激光、籌離子體等新技術手段，改變材料表面及近表面的組分、結構與性能，使其具有更好的功能。

　　管道感應加熱晶粒邊界大多數(shù)的晶體不是單晶體，而是多晶體，即材料是由大量的單晶體顆粒組成的。在多晶體中，晶粒與晶粒之間存在的界面稱為晶界。晶界一般只有幾個原子的厚度。晶界區(qū)域的原子由于受到兩個不同晶粒上原子的共同作用而處于非平衡位置，因而具有較高的能量（晶界能）。晶界可分為小角度晶界和大角度晶界。兩相鄰晶粒的位向差小于150時，稱為小角度晶界；位向差大于150時，稱為大角度晶界。

　　一般來說，位向差越大，管道感應加熱晶界厚度*越大，界面能也*越高。試驗證明，小角度晶界是由一系列位錯排列而成的。