對(duì)試樣的要求：試樣可以是塊狀或粉末顆粒，在真空雙頻淬火設(shè)備中應(yīng)能保持穩(wěn)定；含有水分的試樣應(yīng)先烘干除去水分，或使用臨界點(diǎn)干燥設(shè)備進(jìn)行處理；表面受到污染的試樣，要在不破壞試樣表面結(jié)構(gòu)的前提下進(jìn)行適當(dāng)清洗，然后烘干；新斷開(kāi)的斷口或斷面，一般不需要進(jìn)行處理，以免破壞斷口或表面的結(jié)構(gòu)狀態(tài)；有些試樣的表面、斷口只有進(jìn)行適當(dāng)?shù)那治g，才能暴露某些結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)，因此在侵蝕后應(yīng)將表面或斷口清洗干凈，然后烘干；對(duì)磁性試樣要預(yù)先去磁，以免觀察時(shí)電子束受到磁場(chǎng)的影響；試樣大小要適合儀器專用樣品座的尺寸，不能過(guò)大，樣品座尺寸各儀器不均相同，一般小的樣品座直徑，大的樣品座直徑，以分別用來(lái)放置不同大小的試樣，樣品的高度也有一定的限制。

　　雙頻淬火設(shè)備一種是真空鍍膜，另一種是離子濺射鍍膜。離子濺射鍍膜的原理是：在低氣壓系繞中，氣體分子在相隔一定距離的陽(yáng)極和陰極之間的強(qiáng)電場(chǎng)作用下電離成正離子和電子，正離子飛向陰極，電子飛向陽(yáng)極，兩電極間形成光放電，在輝光放電過(guò)程中，具有一定動(dòng)量的正離子撞擊陰極，使陰極表面的原子被逐出，稱為濺射。如果陰極表面為用于鍍膜的材料  ，需要鍍膜的樣品放在作為陽(yáng)極的樣品臺(tái)上，則被正離子轟擊而濺射出來(lái)的靶材原子沉積在試樣上，形成一定厚度的鍍膜層。離子濺射時(shí)常用的氣體為惰性氣體氬，要求不高時(shí)，也可以用空氣，離子濺射鍍膜與真空鍍膜相比，其主要優(yōu)點(diǎn)是：裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，濺射一次只需幾分鐘，消耗貴金屬少，每次僅為幾毫克；對(duì)同一種鍍膜材料，離子濺射鍍膜質(zhì)量好，能形成顆粒更細(xì)更致密、更均勻和附著力更強(qiáng)的膜。

　　雙頻淬火設(shè)備的原理是：在低氣壓系繞中，氣體分子在相隔一定距離的陽(yáng)極和陰極之間的強(qiáng)電場(chǎng)作用下電離成正離子和電子，正離子飛向陰極，電子飛向陽(yáng)極，兩電極間形成輝光放電，在輝光放電過(guò)程中，具有一定動(dòng)量的正離子撞擊陰極，使陰極表面的原子被逐出，稱為濺射。如果陰極表面為用于鍍膜的材料，需要鍍膜的樣品放在作為陽(yáng)極的樣品臺(tái)上，則被正離子轟擊而濺射出來(lái)的靶材原子沉積在試樣上，形成一定厚度的鍍膜層。離子濺射時(shí)常用的氣體為惰性氣體氬，要求不高時(shí)，也可以用空氣，氣壓約。離子濺射鍍膜與真空鍍膜相比，其主要優(yōu)點(diǎn)是：裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，濺射一次只需幾分鐘，消耗貴金屬少，每次僅為幾毫克；對(duì)同一種鍍膜材料，離子濺射鍍膜質(zhì)量好，能形成顆粒更細(xì)、更致密、更均勻和附著力更強(qiáng)的膜。