力華動(dòng)態(tài)
作為感應(yīng)加熱技術(shù)的重要理論基礎(chǔ)——電磁感應(yīng)原理于1831年由法拉第發(fā)現(xiàn)*今,已有近180年的歷史,然而人類利用感應(yīng)加熱這門技術(shù)開始于20世紀(jì)30年代,到現(xiàn)在不過只有80年的時(shí)間。20世紀(jì)50年代前的20年時(shí)間內(nèi),感應(yīng)加熱技術(shù)發(fā)展緩慢、產(chǎn)品技術(shù)水平低,主要是工頻感應(yīng)加熱爐,電磁倍頻器、中頻發(fā)電機(jī)組及電子管高頻振蕩器加熱裝置,缺乏滋生感應(yīng)加熱成長(zhǎng)的基礎(chǔ)——電力電子技術(shù)及半導(dǎo)體功率器件的支撐。
感應(yīng)加熱電源的制遣技術(shù)水平與電力半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展密切相關(guān),20世紀(jì)50年代晶閘管(SCR)的問世,給感應(yīng)加熱電源的發(fā)展帶來了生機(jī),感應(yīng)加熱裝置的結(jié)構(gòu)面貌煥然一新,出現(xiàn)了高壓大功率的變頻器感應(yīng)加熱電源,加熱電流的頻率從工頻擴(kuò)展到中頻。20世紀(jì)60年代研制出門極關(guān)斷晶閘管(GTO),使感應(yīng)加熱電源又產(chǎn)生了一次變革,可用外部控制信號(hào)關(guān)斷,避免了晶閘管需要結(jié)構(gòu)復(fù)雜的強(qiáng)迫換流電路,變頻器電源的可靠性也得到提高。
如果說晶閘管(SCR、GTO)的出現(xiàn)導(dǎo)致感應(yīng)加熱電源的一場(chǎng)革命性變革,那么20世紀(jì)70年代場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)及20世紀(jì)80年代絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的誕生,使感應(yīng)加熱電源的發(fā)展如虎添翼,加熱的電流頻率擴(kuò)展到MHz級(jí),感應(yīng)加熱電源已趨向模塊化、標(biāo)準(zhǔn)化。