力華動(dòng)態(tài)
除工額外,中頻及高頻均需變頻設(shè)備,而中頻及高頻頻帶范圍與變額設(shè)備的原理及結(jié)構(gòu)有密切關(guān)系。
中頻感應(yīng)加熱設(shè)備
接其原理不同可分為兩大類(lèi):增頻發(fā)電機(jī)(也叫中頻發(fā)電機(jī))及可控硅變頻裝置(也叫可控制的逆變器)。離子管式發(fā)生裝置(0.5~3千赫)在我回沒(méi)有得到應(yīng)崩。
中頻發(fā)電機(jī)與一般發(fā)電機(jī)沒(méi)有本質(zhì)醫(yī)圳,按發(fā)電機(jī)原理只要增加發(fā)電機(jī)磁極數(shù)量及轉(zhuǎn)速,*可融使共頻率得到提高。目前我國(guó)生產(chǎn)的中頻發(fā)電機(jī)的額率范圍為500—8000赫。每臺(tái)發(fā)電機(jī)只有一個(gè)頻率,而且是固定不業(yè)的。由于結(jié)構(gòu)上的原因,很難特別限提高到10赫以上。500赫以下的需要特殊定貨。我國(guó)目前生產(chǎn)的中額發(fā)電機(jī)功率是50千瓦*600千瓦,已有系列產(chǎn)品。若功率不足時(shí),可將同規(guī)格中頻發(fā)電機(jī)一臺(tái)或多臺(tái)并聯(lián)供電。
隨著可控硅技術(shù)的發(fā)展,自1966年瑞士首先研制成功可控硅中頻逆變裝置以來(lái),七十年代得到了迅速發(fā)展。1969年上海滬東造船廠制造出我國(guó)笫一臺(tái)6 0千瓦1000赫的可控硅中頻加熱裝置用于彎曲管子時(shí)的加熱,引起了人們的興趣和重視。目前已有相當(dāng)數(shù)量的工廠生產(chǎn)這類(lèi)產(chǎn)品供給生產(chǎn)單位使用了。
可控硅中額裝置之所以得到迅速發(fā)展,首先是由于它的變頰披率較中頻發(fā)電機(jī)高出許多(前者為90—95%,后者為70~85%);其次是加熱過(guò)程巾導(dǎo)磁率、電阻率,改變引起負(fù)載變化肘,能自動(dòng)改變頻率,使變頻器始終工作在諧振狀態(tài),印在*佳狀態(tài)下工作,而不像中頻發(fā)電機(jī)需補(bǔ)加電容來(lái)維持*佳工作狀態(tài);此外,還有體積小、節(jié)約材料、占地面積小、噪音小、安裝簡(jiǎn)便等許多優(yōu)點(diǎn),因而有取代中頻發(fā)電機(jī)的趨勢(shì)。
可控硅中頻裝置的頻率變化范圍也較中頻發(fā)電機(jī)更寬。頻率 t越低變頻較易,當(dāng)超過(guò)ioT赫后則較困難,下限頻率200-50Q赫茲,而上限可達(dá)20~50千赫。為了填補(bǔ)10~100千赫這段頻率的空白,提供高效率的變額器,各國(guó)都存進(jìn)行研究。1973年法國(guó)首先研制出50千赫25kW的可控硅變頻器,我國(guó)西安電爐研究所不久前亦研制出頻率為30—50千赫功率為100—60千瓦的可控硅變頻器,為四化作出了貢獻(xiàn)。在功率方面為適應(yīng)客觀需要而向大容