由于熔煉爐中頻的容量大，充電電壓的平均值可達(dá)到電源電壓U，故在分析過程中，可把它視為一直流電源。當(dāng)可控硅導(dǎo)通時，通過電感負(fù)載，充電電流fc由零逐漸增大。它一方面在RH上產(chǎn)生損耗，另方面使CF的電場能量中的磁場能量增大。當(dāng)被充電*電源電壓時，達(dá)*大。

　　熔煉爐中頻中的磁場能量釋放，使電流仍維持原方向和充電過程得以繼續(xù)，直到磁場能量消失減小到零，C上電壓將高于電源電壓，這*是所謂的振蕩過充電。*此，在負(fù)載*過半個周渡電流，其波形近似為正弦渡。此后，換向電容器，開始放電，反向并聯(lián)=極管，導(dǎo)通，負(fù)載中流過反向電流。隨著放電電流的增大和C端電壓的減少，電勢中又逐漸積蓄磁場能量。當(dāng)C，放電*電源電壓值時，放電電流選*大。然后，電感中的磁場能量使放電過程繼續(xù)，直*磁能消失，放電電流為零，這一過程形成電流的反向半波。

　　在熔煉爐中頻二極管導(dǎo)通期間，即負(fù)載電流的負(fù)半波期間，在可控硅上有數(shù)值等于二極管正向壓降的反向電壓，以保證可控硅恢復(fù)阻斷。