感應(yīng)加熱電源經(jīng)歷了了20世紀(jì)20年代的發(fā)電機組與真空管發(fā)生器，60年代初的晶閘管（SCR)發(fā)生器，80年代初的晶體管發(fā)生器，直到90年代中期的現(xiàn)代功率晶體管（IGBT、MOSFET等）發(fā)生器這樣一個發(fā)展進(jìn)程。

自20世紀(jì)60年代后期生產(chǎn)出了額定電流達(dá)300A的快速開關(guān)型晶體閘管SCR（Silicon ControledRectifier)之后，使得在技術(shù)和經(jīng)濟(jì)性方面的障礙得以解決，從而為提供SCR中頻感應(yīng)加熱電源成為可能，并導(dǎo)致了中頻加熱機式中頻電的淘汰。

20世紀(jì)80年代中期，已開發(fā)出適合于新一代感應(yīng)加熱電源的新型功率元器件，其中包括：①具有功率大，開關(guān)速度快，損耗低的功率半導(dǎo)體器件MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)和 IGBT (InsulatedGate Bipolar Transistor);②能滿足高頻、大容量（kvar)、低損耗、很小電感、體積小，以及容易水冷的電容器；③能夠承受大電流、電壓比抽頭靈活及容易實現(xiàn)負(fù)載匹配的高頻（達(dá)300kHz)鐵氧體磁心變壓器。

現(xiàn)代感應(yīng)加熱電源*是指以各類功率晶體管，如MOSFET、IGBT等為功率器件的感應(yīng)加熱電源，也稱為（全）固態(tài)感應(yīng)加熱電源。固態(tài)感應(yīng)加熱電源是針對老式晶閘管（SCR)和真空管感應(yīng)加熱電源來說的。感應(yīng)加熱電源的頻率范圍很廣，大致對頻率低于10kHz以下的電源稱為中頻感應(yīng)加熱電源；頻率為10~100kHz的稱為超音頻感應(yīng)加熱電源；頻率高于100kHz的稱為高頻感應(yīng)加熱電源。按照功率器件SCR、MOSFET和IGBT的頻率特性及功率容量來看，SCR主要應(yīng)用于中頻感應(yīng)加熱。從目前IGBT感應(yīng)加熱電源的制造水平來看，國際上達(dá)到了1200kW/180kHz,我國為1000kW/50kHz;MOSFET感應(yīng)加熱電源的制造水平，國際為2000kW/400kHz,我國為10~250kW/50~400kHz,1800kW/150kHz.

現(xiàn)代感應(yīng)加熱電源具有如下特點：

1)所涉及的電路基本理論變化不大，由于新型功率器件的問世，其電路及實現(xiàn)技術(shù)有了很快的發(fā)展。

2)功率整流及逆變電路的器件多采用模塊器件代替單只功率器件。