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igbt熔化爐,指的是igbt中頻電源,具有很多優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用非常廣泛。那igbt冶煉爐電源控制部分的原理是什么?以下*讓廣東力華為您詳細(xì)介紹一下!
IGBT中頻電源是一種恒功率輸出電源,只需加入少量的材料*可達(dá)到滿功率輸出,而且熔化速度始終保持恒定;IGBT中頻由于逆變部分采用串聯(lián)諧振,且逆變電壓較高,因此IGBT中頻比普通可控硅中頻節(jié)能,IGBT中頻采用調(diào)頻調(diào)功,整流部分采用全橋整流,電容濾波,并始終保持500V的工作狀態(tài),因此IGBT中頻產(chǎn)生的高次諧波較小,對電網(wǎng)污染較小。
節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比傳統(tǒng)的可控硅中頻電源節(jié)能15%-25%,主要原因是:A、逆變電壓高,電流小,線路損耗小,這部分節(jié)能約15%,節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓2800V,而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電壓只有750V,電流小近4倍,線路損耗大。功率因數(shù)高,功率因數(shù)始終大于0.98,無功損耗小,這部分比中頻可控硅電源節(jié)能3%-5%。
因?yàn)楣?jié)能IGBT晶體管中頻電源采用半控制整流方式,整流部分的可控硅導(dǎo)通角不可調(diào),所以整個(gè)工作過程中的功率因數(shù)都大于0.98,無功率損耗。由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比同等功率可控硅中頻電源一爐快15分鐘左右,在爐口損失的熱量中,在整個(gè)過程中所占的比例約為3%,因此這部分比可控硅中頻電源可節(jié)能3%左右。
高次諧波干擾:高次諧波主要來源于整流器部分調(diào)壓過程中控制硅產(chǎn)生的毛刺電壓,對電網(wǎng)造成嚴(yán)重污染,使其他設(shè)備無法正常工作;而節(jié)能IGBT晶體管中頻電源的整流器部分采用半控制調(diào)壓,直流電壓始終工作在*高電壓下,不調(diào)節(jié)導(dǎo)通角,因此不會(huì)產(chǎn)生高次諧波,不會(huì)污染電網(wǎng),變壓器,開關(guān)不發(fā)熱,也不會(huì)影響工廠其他電子設(shè)備的運(yùn)行。恒功率輸出:可控硅中頻電源采用壓力調(diào)功,而節(jié)能IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功,在整個(gè)熔煉過程中不受爐料數(shù)量和爐襯厚度的影響,均保持恒功率輸出,特別是在生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等非磁性材料時(shí),更顯示其優(yōu)點(diǎn),熔化速度快,爐料元素?zé)龘p少,鑄造成本低。
熔煉爐電源控制部分的原理是什么?以上由廣東力華帶來的資料,相信大家已經(jīng)對igbt熔爐有所了解。