軸承感應(yīng)加熱中奧氏體品粒長大的動(dòng)力是其晶粒尺寸的不均勻性。而與品粒尺寸成反比、晶粒長大的驅(qū)動(dòng)力與界面能成反比。

　　理想狀態(tài)下的晶界。處于這種狀態(tài)下的軸承感應(yīng)加熱奧氏體晶粒不易長大。但實(shí)際上奧氏體晶粒的大小是不均勻的。直徑小于平均直徑的晶粒，其鄰接晶粒數(shù)一般小于6；直徑大于平均直徑的品粒，其鄰接晶粒數(shù)一般大于6、為了保持界面張力平街。

    在一定溫度條件下，由于軸承感應(yīng)加熱界面張力平衡作用，凡鄰接晶粒數(shù)小于6的晶粒的晶界都將彎曲成正曲率弧，使界面面積增大，界面能升高。理想狀態(tài)下的晶界。

　　為了減小軸承感應(yīng)加熱晶界面積以降低界面能，晶界有由曲線變成直線的自發(fā)趨勢，因此將導(dǎo)致該晶粒縮小，直*消失。鄰接晶粒數(shù)大于6的晶粒的界面也因晶界張力平衡而彎曲成負(fù)曲率弧，同樣為減小界面面積，降低界面能，該晶粒將長大，從而吞并小品粒。

    進(jìn)一步提高軸承感應(yīng)加熱溫度或延長保溫時(shí)間，大晶粒將繼續(xù)長大這*是無數(shù)個(gè)小品粒被吞并和大晶粒長大的綜合結(jié)果。這種長大過程又稱為奧氏體的長大再結(jié)晶。

　　總之，界面能越大、晶粒尺寸越小，軸承感應(yīng)加熱奧氏體晶粒長大的驅(qū)動(dòng)力*會(huì)越大，即晶粒的長大傾向越大，品界易于遷移。